Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

Christian Bödeker

doi:10.51202/9783186419217

Zusammenfassung

Kurzfassung

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Verhalten von Halbleitern aus Siliziumkarbid (SiC). Zunächst werden die Auswirkungen par. Elemente betrachtet. Es wird u. a. der planare M-Shunt untersucht. Die Charakterisierung der Halbleiter wird mit stat. und dyn. Messmethoden durchgeführt. Der Sperrbetrieb der Dioden wird im Hinblick auf therm. Stabilität untersucht und bei der dyn. Charakterisierung werden die Überspannung sowie die Ladung bestimmt. Bei den stat. Messungen der Transistoren wird das Verhalten hinsichtlich verschiedener Transistortypen sowie herstellerbedingter Unterschiede aufgezeigt. Die dyn. Vermessung der Transistoren umfasst eine Analyse des Einflusses der Ansteuerparameter, der Gehäuse, der Sperrschichttemperatur und unterschiedlicher Dioden auf das Schaltverhalten. Des Weiteren werden die Zerstörungsgrenzen von SiC-MOSFETs und die Anwendbarkeit von Überspannungsschutzbeschaltungen auf SiC-MOSFETs analysiert. …

Inhalt

Vorwort …

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Bibliographische Angaben

Erscheinungsjahr: 2019
Erscheinungsdatum: 15.01.2019
ISBN-Print: 978-3-18-341921-0
ISBN-Online: 978-3-18-641921-7
Verlag: VDI Verlag, Düsseldorf
Reihe: Elektrotechnik
Band: 419
Sprache: Deutsch
Seiten: 169
Produkttyp: Monographie

Inhaltsverzeichnis

KapitelSeiten

Titelei/Inhaltsverzeichnis Teilzugriff Seiten I - XIV Download Kapitel (PDF)
Einleitung Kein Zugriff Seiten 1 - 2
1. Materialeigenschaften Kein Zugriff
2. 1. pin-Diode Kein Zugriff
  2. Schottky-Diode Kein Zugriff
  3. Bipolartransistor (BJT) Kein Zugriff
  4. Sperrschichtfeldeffekttransistor (JFET) Kein Zugriff
  5. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) Kein Zugriff
3. Parasitäre Elemente Kein Zugriff
1. 1. Doppelpulsversuch Kein Zugriff
  2. Kurzschlussversuch Kein Zugriff
  3. Messplatzkonzept Kein Zugriff
  4. Schaltverläufe und deren Auswertung Kein Zugriff
2. 1. Koaxialer Messwiderstand (Koaxialshunt) Kein Zugriff
  2. Hair-pin-Shunt Kein Zugriff
  3. M-Shunt Kein Zugriff
  4. PCB-M-Shunt Kein Zugriff
  5. Messwiderstände im Überblick Kein Zugriff
3. Lastinduktivitäten für Messaufbauten Kein Zugriff
1. 1. Selbsterwärmung und thermisches Weglaufen Kein Zugriff
  2. Leckströme Kein Zugriff
  3. Ermittlung der Verdopplungstemperaturdifferenzen der Leckströme Kein Zugriff
  4. Anwendung des Stabilitätskriteriums Kein Zugriff
  5. Lawinendurchbruch in SiC im Vergleich mit Silizium und Galliumnitrid Kein Zugriff
2. 1. Einschaltverhalten Kein Zugriff
  2. Ausschaltverhalten Kein Zugriff
1. 1. Durchlassverhalten Kein Zugriff
  2. Schaltverhalten Kein Zugriff
2. 1,2 kV JFET Kein Zugriff
3. 1. Durchlassverhalten Kein Zugriff
  2. Schaltverhalten Kein Zugriff
4. 1. Durchlassverhalten Kein Zugriff
  2. Schaltverhalten Kein Zugriff
5. Zerstörungsgrenzen beim Kurzschluss Kein Zugriff
6. 1. Active Clamping Kein Zugriff
  2. Dynamic Voltage Rise Control Kein Zugriff
  3. Dynamic Active Clamping Kein Zugriff
Zusammenfassung Kein Zugriff Seiten 138 - 140
1. Darstellung des Messplatzes Kein Zugriff
2. Wichtige Komponenten zur Durchführung der Schaltversuche Kein Zugriff
3. Darstellung der Messplatinen für vergleichende Messungen Kein Zugriff
4. Technische Zeichnung des erstellten Simulationsmodells vom Koaxialshunt Kein Zugriff
5. SiC-BJT: Schaltgeschwindigkeiten in Abhängigkeit von IC und TJ Kein Zugriff
6. SiC-MOSFET: Schaltverläufe in Abhängigkeit von CGS,ext Kein Zugriff
7. SiC-MOSFET: Schaltgeschwindigkeiten in Abhängigkeit von CGS,ext und TJ Kein Zugriff
8. SiC-MOSFET: Simulationsmodell Kein Zugriff
1. Fachliteratur Kein Zugriff
2. Datenblätter und Bedienungsanleitungen Kein Zugriff
3. Betreute studentische Arbeitsvorhaben Kein Zugriff