Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

Christian Bödeker

doi:10.51202/9783186419217

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Bibliographic data

Copyright year: 2019
ISBN-Print: 978-3-18-341921-0
ISBN-Online: 978-3-18-641921-7
Publisher: VDI Verlag, Düsseldorf
Series: Elektrotechnik
Volume: 419
Language: German
Pages: 169
Product type: Book Titles

Titelei/Inhaltsverzeichnis Partial access Pages I - XIV Download chapter (PDF)
Einleitung No access Pages 1 - 2
1. Materialeigenschaften No access
2. 1. pin-Diode No access
  2. Schottky-Diode No access
  3. Bipolartransistor (BJT) No access
  4. Sperrschichtfeldeffekttransistor (JFET) No access
  5. Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) No access
3. Parasitäre Elemente No access
1. 1. Doppelpulsversuch No access
  2. Kurzschlussversuch No access
  3. Messplatzkonzept No access
  4. Schaltverläufe und deren Auswertung No access
2. 1. Koaxialer Messwiderstand (Koaxialshunt) No access
  2. Hair-pin-Shunt No access
  3. M-Shunt No access
  4. PCB-M-Shunt No access
  5. Messwiderstände im Überblick No access
3. Lastinduktivitäten für Messaufbauten No access
1. 1. Selbsterwärmung und thermisches Weglaufen No access
  2. Leckströme No access
  3. Ermittlung der Verdopplungstemperaturdifferenzen der Leckströme No access
  4. Anwendung des Stabilitätskriteriums No access
  5. Lawinendurchbruch in SiC im Vergleich mit Silizium und Galliumnitrid No access
2. 1. Einschaltverhalten No access
  2. Ausschaltverhalten No access
1. 1. Durchlassverhalten No access
  2. Schaltverhalten No access
2. 1,2 kV JFET No access
3. 1. Durchlassverhalten No access
  2. Schaltverhalten No access
4. 1. Durchlassverhalten No access
  2. Schaltverhalten No access
5. Zerstörungsgrenzen beim Kurzschluss No access
6. 1. Active Clamping No access
  2. Dynamic Voltage Rise Control No access
  3. Dynamic Active Clamping No access
Zusammenfassung No access Pages 138 - 140
1. Darstellung des Messplatzes No access
2. Wichtige Komponenten zur Durchführung der Schaltversuche No access
3. Darstellung der Messplatinen für vergleichende Messungen No access
4. Technische Zeichnung des erstellten Simulationsmodells vom Koaxialshunt No access
5. SiC-BJT: Schaltgeschwindigkeiten in Abhängigkeit von IC und TJ No access
6. SiC-MOSFET: Schaltverläufe in Abhängigkeit von CGS,ext No access
7. SiC-MOSFET: Schaltgeschwindigkeiten in Abhängigkeit von CGS,ext und TJ No access
8. SiC-MOSFET: Simulationsmodell No access
1. Fachliteratur No access
2. Datenblätter und Bedienungsanleitungen No access
3. Betreute studentische Arbeitsvorhaben No access